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半导体结构中失效位置的定位方法和三维存储器.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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半导体结构中失效位置的定位方法和三维存储器.pdf

    本发明涉及一种半导体结构中失效位置的定位方法和三维存储器，该定位方法包括以下步骤：在半导体结构的背面定位第一失效位置；去除第一金属层，所述第一金属层位于所述半导体结构的正面；在所述正面的目标区域形成第二金属层，所述目标区域在所述半导体结构的背面的正投影与所述第一失效位置在所述背面的正投影错开设置；以及通过所述第二金属层在所述正面定位第二失效位置。本发明的定位方法可准确定位失效位置，缩短了定位缺陷的时间。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582747 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210197595.9 (22)申请日 2022.03.02 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 4

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