ECR等离子体08分析和总结.docxVIP

电子回旋共振等离子体 (Electron CyclotronResonance,ECR) ECR等离子体源发展历史： 微波电源的发展 1921： 磁控管 1939：速调管 二战中微波技术的迅速发展 雷达 （3）微波灶的普及 1960-1970 微波电源价格大幅度下降 （4）1970 年代前期：高温核聚变等离子体微波加热 后期：日本，捷克 低温等离子体应用 （5）1980 集成电路芯片刻蚀加工： 低气压高密度等离子体源竞争 ECR,ICP.Helicon. Hitachi, Astex. ECR 等离子体源结构: 微波电子回旋共振加热原理 （a）微波ECR 等离子体内的有效电场 B B 0 ? 0 ~ v2 ? 1 1 ? ??E2 ? E2 c ? ? ? ? ? eff 2 ??? ?? ?2 c v2 c ?? ?? ?2 c ? v2 ? c [对比] B [对比] B =0 0 E 2 eff ~ ? E 2 v2 c ? 2 ? v2 c 特性 特性 电子回旋频率附近，击穿电场显著降低。 实验结果： 回旋运动角频率ω = eB /m =ω ce 0 e wave (b)ECRplasma 中微波传输及吸收的主要特性 ---微波ECR 等离子体为各向异性介质,沿磁场方向传播的TE 波将分为右旋偏振波和左旋偏振波,色散关系为： n2 R =1-(ω 2 / pe (ω - ω )ω ) ce n2 L =1-(ω 2 / pe (ω + ω )ω ) ce 右旋波的共振和截止条件为: ω /ω =1 (共振条件: n ce R =∞) ω 2 /ω 2 =1-ω / ω (截止条件: n =0) pe ce R b b 1 R共 振 / e ωc ω aa 衰 减 区 R 截 止 2 ω2 ce / ω2 ----微波不同馈入模式的结果 低场馈入：图中路径a----- 右旋波在低密度区截止（对应 的临界密度n crit = n (1 - ω c /ω ) ce -----低密度 高场输入：图中路径b,没有高密度截止 高密度运行条件 截止区 截止区 共振区 B Z 共振区 共振区 截止区 B Z -------共振区中右旋波的共振吸收功率 P abs (r,z) = P input (r,z) [1-exp(-π η )] η = ω 2 / ω cα , c 为光速, α =1/B (r,z )dB pe 0 (r ,z )/dz . ------〉共振吸收功率,不仅与微波场分布,而且还与磁场位形有关。 [问题]ECR plasma 磁梯度推动 微波ECR 等离子体源系统 直流电源： 磁控管：产生微波的真空器件（磁控管溅射），商用微波炉即采用磁控管。 环行器／匹配负载： 在磁控管和变化的等离子体负载间起隔离作用，其功能像—个单向阀门，只允许微波功率从磁控管输至等离子体．反射微波功率传输到匹配负载被吸收。 定向耦合器 测量从微波源到负载的人射功率和从负载返回源的反射波功率。两部分之差功率流之差主要被等离子体吸收，剩余部分是系统的损耗． 销钉调配器 阻抗匹配，可将反射波功率调至最小、等离子体负载吸收的人射波功率最大。 模式转换器 将波模所希望的模式。矩形TE 10 ---〉圆波导TE 11 ，TE 10 ,TM 01 石英窗 真空密封 低微波吸收。 等离子体反应腔 共振、非共振型。 输人 输人 i 纲合波导 阻抗 诩配器 波导---.. 转换找 ECR放电参数特性 ⊙ECR等离子体密度随气压的变化 ⊙不同微波模式的等离子体密度及径向分布 T TE○ 01 TM○ n e 01 TE○ 11 r ⊙共振区磁场梯度对离子体密度及径向分布的影响 n ne ne r r zd B d zd B d r r 电磁线圈电流对共振区磁场位形的影响 N N 170A 200A 240A 280A r 副线圈（sub-coil）对共振区磁场位形的影响 副线圈 副线圈 I =0 sub I =0 sub I sub ? 0 I sub ? 0 B B N c z r 副线圈优点：提高等离子密度和径向均匀性 缺点：线圈大，电流大（，水结冷构）复杂。 ⊙ECR放电的跳变、多稳、迟滞现象 ⊙不同类型的ECR等离子体源 线圈磁场 线圈磁场 DECR 钟罩石英腔 密执安 disk 源 石英窗口 谐振腔型 喇叭天线 增长型  大体积永久磁钢  狭缝天线 法国DECR(Distributed electron cyclotron reasonance) 德国环形腔ECR等离子体 德国环形腔ECR等离子体放电照片 ECR ECR增强溅射沉积等离子体源 圆柱靶 EXB(线圈磁场) 密执安 disk 源 磁控管