原创力文档- 7
- 0
- 约5.44千字
- 约 6页
- 2023-05-11 发布于四川
- 举报
本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生单晶炸裂或回熔导致成晶失败。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114574940 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210164175.0
(22)申请日 2022.02.23
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研
文档评论（0）