场效应晶体管及其应用.pptxVIP

第1页/共23页场效应晶体管及其应用第2页/共23页 本章内容3.1 场效应晶体管的基本特性（2学时）3.2 共源极场效应晶体管放大电路 （2学时）3.3 源极输出器（2学时）小结 第3页/共23页P沟道结型场效应晶体管结型场效应晶体管N沟道结型场效应晶体管P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管场效应晶体管增强型绝缘栅场效应晶体管N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管绝缘栅场效应晶体管P沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管耗尽型绝缘栅场效应晶体管N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管3.1场效应晶体管的基本特性第4页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1 结型场效应晶体管 结型场效应管简称JFET，它是利用半导体内的电场效应来工作的，因而也称为体内场效应器件。结型场效应管有N沟道和P沟道两类。 第5页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1 结型场效应晶体管第6页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.1 结型场效应晶体管UGS(off)≤uDS≤0 第7页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管第8页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管第9页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管第10页/共23页3.1场效应晶体管的基本特性3.1.2 绝缘栅型场效应晶体管当uGS＞UGS(th) 时第11页/共23页3.1.3 场效应晶体管的特性参数1. 性能参数（1）开启电压UGS(th)　是增强型MOS管特有的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），使iD等于某一微小电流（如10μA）时所需要的最小uGS值。（2）夹断电压UGS(off)　是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），而使iD减小到某一微小电流（如10μA）时的uGS值。（3）饱和漏极电流IDSS　是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指在uGS＝０时，使管子出现预夹断时的漏极电流。IDSS也是结型管所能输出的最大电流。（4）直流输入电阻RGS　是指在漏、源极间短路的条件下，栅、源极之间所加直流电压与栅极直流电流的比值。一般JFET的RGS＞107Ω，而IGFET的RGS＞109Ω。第12页/共23页3.1.3 场效应晶体管的特性参数1. 性能参数（5）低频跨导（互导）gm　是指在uDS为某一定值时，漏极电流iD的微变量和引起它变化的uGS微变量的比值，即 gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数（对应于三极管的β），单位为西门子（S），也常用mS或μS。场效应管的gm一般为几毫西门子。 第13页/共23页3.1.3 场效应晶体管的特性参数2. 极限参数（1）最大漏极电流IDM　是指管子在工作时允许的最大漏极电流。（2）最大耗散功率PDM　最大耗散功率PDM＝uDS·iD，它受管子的最高工作温度的限制，与三极管的PCM相似。（3）漏源击穿电压U(BR)DS　它是漏、源极间所能承受的最大电压，也就是使iD开始急剧上升（管子击穿）时的uDS值。（4）栅源击穿电压U(BR)GS　它是栅、源极间所能承受的最大电压。击穿会造成短路现象，使管子损坏。 第14页/共23页3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.1 电路结构第15页/共23页3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.2 直流静态工作点第16页/共23页3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.3 交流放大特性第17页/共23页3.3源极输出器3.3.1 电路结构 如图所示为耗尽型NMOS管构成的共漏极放大电路，由其交流通路可见，漏极是输入、输出信号的公共端。由于信号是从源极输出，也称源极输出器。第18页/共23页3.3源极输出器3.3.2 交流放大特性式中RL ’ ＝RS∥RL 。输出电压与输入电压同相，且由于gm RL ’ 1，所以Au小于1，但接近于1。第19页/共23页3.3源极输出器3.3.2 交流放大特性由上分析可知，源极输出器与三极管的射极输出器有相似的特点：电压放大倍数小于且接近于1，输入电阻较高，输出电阻较低。 第20页/共23页本章小结 场效应管中只有多数载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。场效应管根据结构不同可分为两大类：结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称IGFET），对于绝缘栅场效应管来说，又分为增强型和耗尽层两种，而每一种又有N沟道和P沟道之分。 场效应管共源极放大电路的输出电压与输入电压反相，与共射放大电路相比，由于场效应管的跨导gm值较小，电压放大倍数较低，但其输入电阻却很大，适合应用于要求高输入电阻的场合。第21页/共23页　本章小结场效应管源极输出器与三极管的射极输出器有相似的特点：电