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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种硫化二硫化钼/铜复合薄膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/铜/二硫化钼梯度过渡层和二硫化钼/铜掺杂层,获得二硫化钼/铜复合薄膜,之后进行硫化处理,制得硫化二硫化钼/铜复合薄膜。本发明提供的硫化二硫化钼/铜复合薄膜利用二硫化钼薄膜低摩擦特性的同时,采用二硫化钼和铜共溅射形成有效掺杂,提高了薄膜的摩擦学性能,并且二硫化钼和硫化铜的低摩擦磨损具有协同作用,有利于提高硫化二硫化钼/铜复合薄膜的耐磨性,具有优越的大气磨损性能,磨损率降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114574826 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210197272.X C23C 14/16 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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