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一种多面式侧壁LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种多面式侧壁LED芯片及其制备方法.pdf

    本发明提供一种多面式侧壁LED芯片及其制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成LED外延，在LED外延上沉积不同致密性的材料作为掩膜；通过ISO光刻形成具有ISO图形的光刻胶层，以光刻胶层为遮挡对掩膜进行刻蚀；去除光刻胶层，以掩膜为遮挡对LED外延进行ICP刻蚀，直至刻蚀至衬底，形成侧壁具有多个斜面的隔离沟槽。本发明中的一种多面式侧壁LED芯片及其制备方法，通过改变隔离槽侧壁的形貌，使侧壁出光面积增加，芯片内部光线到侧壁的入射角发生改变，使得更多的光线可以取出，提升了芯片亮度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114583025 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210199465.9 (22)申请日 2022.03.01 (71)申请人 江西兆驰半导体有限

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