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GaN外延生长流程 ㈦ 长P型GaN ⒈炉温升至930℃,长GaN的同时掺Mg(浓度5X1019/cm3),长200nm厚,时间20min。 ⒉长接触层 炉温降至800℃,长GaN的同时掺Mg(浓度1020/cm3),长15nm厚,时间2min。 ⒊激活 在N2气氛下，将炉温降至600℃,加热20min,打破Mg－H键,激活Mg的导电性。 ⒋降温 炉温降至150℃，时间 30min。 蓝宝石衬底(430μm) GNa N－GaN P型GaN 3.4μm 第三十一页，共四十七页。 藍寶石基板 緩衝層 氮化鎵 N-Type-氮化鎵-矽掺雜 (氮化鎵/氮化銦鎵)x5-淺井結構 (氮化鎵/氮化銦鎵)x8-量子井結構 P-Type-氮化鋁鎵-電流阻擋層 P-Type-氮化鎵-鎂掺雜 P-Type-氮化銦鎵-金屬接觸層 外延结构示意图 藍寶石基板 磊晶前 磊晶後 In GaN:Mg sapphire GaN buffer N-GaN In GaN well GaN barrier P-GaN:Mg Al-GaN:Mg 第三十二页，共四十七页。 外延生长的原辅材料 基片：蓝宝石 载气 ：H2，N2 反应剂 ：NH3，SiH4，MO源 MO Source包括： 三甲基镓：t