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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种分立器件测试方法,其包括以下步骤:步骤一,接触测试;步骤二,第一次栅源漏电测试;步骤三,压力测试;步骤四,阈值测试;步骤五,其他测试项目;步骤六,第二次栅源漏电测试。本发明可以较好的得到稳定、可信赖的DC参数结果,方便测试,提高测试精度和芯片质量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582746 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210185579.8
(22)申请日 2022.02.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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