原创力文档- 3
- 0
- 约1.98万字
- 约 15页
- 2023-05-12 发布于四川
- 举报
本发明涉及掺杂硫的磷化铟单晶片，其中硫原子浓度为2×1018atoms/cc至8×1018atoms/cc，所述磷化铟单晶片中主表面上的硫浓度相对于平均值偏差不超过15％。本发明还涉及该掺杂硫的磷化铟单晶片的制法、掺杂硫的磷化铟单晶棒的制法，其中掺杂剂为质量比＝7.5:1至15:1的硫化铟和硫，硫化铟和硫中的硫按元素质量计，为相对于磷化铟多晶总重量的0.007‑0.03％。根据本发明获得的掺杂硫的磷化铟单晶片具有改进的性能，特别是具有更均匀的硫浓度分布、更高的掺杂浓度和更小的位错密度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116043318 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202310032681.9
(22)申请日 2023.01.10
(71)申请人 北京通美晶体技术
文档评论（0）