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晶闸管结构原理介绍第1页/共54页第2页/共54页第20章 晶闸管及其应用本章要求1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特 性和主要参数。2. 理解可控整流电路的工作原理、掌握电 压平均值与控制角的关系。3. 了解单结晶体管及其触发电路的工作原 理。第3页/共54页 优点：晶闸管（Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。第4页/共54页阳极 A三 个PN 结P1A四 层 半 导 体N1GP2G控制极K N2(a) 外形(b) 符号K 阴极20.1 晶闸管20.1.1 基本结构 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。G(c) 结构晶闸管的外形、结构及符号第5页/共54页AA+A IAPP1N1P1P2NNT1N1GGP2GN1PPIG T2IKN2NP2_KKN2K晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合第6页/共54页R T1+EAT2_20.1.2 工作原理形成正反馈过程AG 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。EGKEA 0、EG 0第7页/共54页形成正反馈过程AR T1+T2EA_EG20.2.2 工作原理G 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。KEA 0、EG 0第8页/共54页晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。第9页/共54页IIF_+IG2IG1IHIG0UBRURRMUFRMUBOoU?U_+20.1.3 伏安特性正向平均电流维持电流IG2 IG1 IG0 反向转折电压正向转折电压正向特性反向特性第10页/共54页URRM：反向重复峰值电压控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。一般取 URRM = 80% UBR 普通晶闸管 URRM为100V—3000V20.1.4 主要参数UFRM:正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。一般取UFRM = 80% UB0 。普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V第11页/共54页正向平均电流环境温度为40?C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。 IF：IF?t?2?如果正弦半波电流的最大值为Im, 则普通晶闸管IF为1A — 1000A。第12页/共54页IH: 维持电流 在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流。 一般IH为几十 ~ 一百多毫安。UF: 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时， 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。UG、IG：控制极触发电压和电流 室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完 全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。 一般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安。第13页/共54页KP（晶闸管类型）P--普通晶闸管K--快速晶闸管S --双向晶闸管普通型 晶闸管晶闸管型号及其含义 导通时平均电压组别共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V额定电压,用百位或千位数表示取UFRM或URRM较小者额定正向平均电流(IF)如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。第14页/共54页ioT+–++uTuoRLu?––20.2 可控整流电路20.2.1 单相半波可控整流 1.电阻性负载(1) 电路 u 0 时：若ug = 0，晶闸管不导通，控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导 通，u 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。第15页/共54页? tO?2?? tOu 0时: 加触发信号，晶闸管承受正向电压导通(2) 工作原理?t1u 0 时: 可控硅承受反向电压不导通即：晶闸管反向阻断第16页/共54页? tO?? t? t?tO??(3)工作波形2??t2?t1OO导通角动画控制角 接电阻负载时单相半波可控整流电路电压、电流波形第17页/共