超频内存时序详解.pdfVIP

超频内存时序详解 与传统的SDRAM 目比，DDR （ Dual date rate SDRSM :双倍速率 SDRAM，最重要的改变是 在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据， 这使得DDR 的数据传 输速率为传统 SDRAMS 两倍。同样地，对于其标称的如 DDR400 DDR333 DDR266 数值，代 表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说 DDR40C 工作频率为200MHz FSB 与内存频率的关系 ） 首先请大家看看 FSB （Front Side Bus :前端总线 和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MES 匕率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB 和内存同步，即1:1 是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异 步的。同 步后，内存的实际运行频率是 FSBx2,所以，DDR400 的内存和200MHz 的FSB 正好 同步。如果你的 FSB 为240MHz 则同步后，内存的实际运行频率为 240MHz x 2 = 480MHz 。 FSB 与不同速度的DDR 内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1: 1 的FSB 与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。 内存时序设置 内存参数的设置正确与否， 将极大地影响系统的整体性能。 下面我们将针对内存关于时序设 置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高 电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Comma nd Per Clock tCL : CAS Late ncy Con trol tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timi ng tRP : Row Precharge Timi ng tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ”及其他参数的设置 CPC : Comma nd Per Clock