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半导体器件及形成该半导体器件的处理.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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半导体器件及形成该半导体器件的处理.pdf

    披露了一种主要由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管(FET)类型的半导体器件。该FET包括氮化物半导体层叠件，其设置了：主有源区和辅助有源区以及包围有源区的无源区；源电极、漏电极和栅电极；覆盖各电极和半导体层叠件的绝缘膜；以及绝缘膜上的场板。本发明的FET的特征在于所述场板通过设置在绝缘膜中的开口与辅助有源区电接触。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649412 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210278490.6 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日 2018.09

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