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一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用.pdf

    本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649429 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210256027.1 (22)申请日 2022.03.15 (71)申请人 北京大学深圳研究生院 地址 518

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