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基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种基于光刻工艺的倒置结构钙钛矿QLED器件，包括透明导电衬底ITO以及在透明导电衬底ITO层上依次沉积的电子传输层、图案化量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层和金属阳极。本发明不仅克服了钙钛矿量子点与传统光刻工艺不兼容的缺点，还溶剂对功能层的影响，可以实现钙钛矿量子点的图案化和QLED器件制备。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649491 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210261628.1 (22)申请日 2022.03.17 (71)申请人 福州大学 地址 350108 福

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