半导体材料第6讲-外延.pptxVIP

半导体材料陈易明 e-mail: 第1页，共57页。第5章 硅外延生长 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需要，1959年末开发了薄层单晶材料生长技术——外延生长。 外延生长就是在一定条件下，在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法。 由于所生长的单晶层是衬底晶格的延伸，所以所生长的材料层叫做外延层。 根据外延层的性质，生长方法和器件制作方式不同，可以把外延分成不同的种类。第2页，共57页。外延的分类1、按外延层的性质分类同质外延：外延层与衬底是同种材料，例如在硅上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAs均属于同质外延。异质外延：衬底材料和外延层是不同种材料，例如在蓝宝石上外延生长硅，在GaAs上外延生长GaAlAs等属于异质外延。2、按器件位置分类正外延：器件制作在外延层上反外延：器件制作在衬底上，外延层只起支撑作用第3页，共57页。外延的分类3、按外延生长方法分类 直接外延是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得足够能量，直接迁移沉积在衬底表面上完成外延生长的方法，如真空淀积、溅射、升华等。但此类方法对设备要求苛刻。薄膜的电阻率、厚度的重复性差，因此一直未能用于硅外延生产中。第4页，共57页。 间接外延是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层，广义上称为化学气相沉积(chemical vapor depositio