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低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长n型氮化物层；在n型氮化物层上生长氮化物发光层；在氮化物发光层上生长p型氮化物层；在p型氮化物层上生长第一接触功能层，在第一接触功能层上生长第二接触功能层；刻蚀掉第二接触功能层至n型氮化物层上表面之间的部分外延层；刻蚀掉第二接触功能层的部分区域，暴露出第一接触功能层的部分区域；在未被刻蚀的第二接触功能层及暴露出的第一接触功能层上设置透明导电层；分别在透明导电层和n型氮化物层上设置p型电极和n型电极。本

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649448 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210253237.5 (22)申请日 2022.03.15 (71)申请人 江苏第三代半导体研

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