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本发明提供一种浮栅薄膜层高度的调整方法,提供衬底,衬底上形成有栅极层,之后形成覆盖栅极层的调整层;利用光刻和刻蚀打开调整层以形成凹槽;在衬底上形成覆盖调整层的第一薄膜层,之后形成覆盖第一薄膜层的第二掩膜层;刻蚀第二掩膜层以及其下方的第一薄膜层,使得第一薄膜层保留在第二掩膜层间的凹槽的表面。本发明通过调整调整层的厚度,从而达到超快闪存储器需要的浮栅氮化钛高度,应用于新型超快闪存储器中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695540 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202210170153.5
(22)申请日 2022.02.24
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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