复合材料的界面基础与界面理论.pptVIP

C-SiO2界面: lnPCO可能很大，PCO可能很高。 但一定的PCO压力对应一定的O2浓度，而界面氧气浓度需靠氧在SiO2中的扩散提供。O2在SiO2中的扩散是很慢的，因而CO的压力受O2扩散控制。 热化学相图 界面的化学反应 第六十三页，共一百一十页，2022年，8月28日 Si-C-O系统平衡时可能产生SiO(g) ： SiC(S)+1/2O2 (g)?SiO(g)+C(g) 长斜线表示SiO的压力 PSiO 根据△G= ? RTlnPC?RTlnPSiO(g)+1/2RTlnPO2 令lnPSiO(g)=constant lnPC ? 1/2lnPO2 (斜率+1/2) 热化学相图 界面的化学反应 第六十四页，共一百一十页，2022年，8月28日 长斜线表示CO2的压力 PCO2 根据△G=-RTlnPCO2+RTlnPO2+RTlnPC(g) lnPCO2=constant lnPC ? - lnPO2 (斜率-1) Si-C-O三元系统还可能反应生CO2 C (g) +O2 (g) ?CO2(g) 热化学相图 界面的化学反应 第六十五页，共一百一十页，2022年，8月28日 SiC-SiO2界面在2000K的CO压力可能大于0.7个大气压，SiC表面的氧化层SiO2(保护膜)在低于这一压力时气泡形核长大，因而是不稳定的，高于这一压力气相反应将被抑制。 SiC与SiO2的稳定共存氧浓度区间为： ln PO2 = -13.8 ? -15.3 SiC SiO2 O2 SiC SiO2 O2 CO 热化学相图 界面的化学反应 第六十六页，共一百一十页，2022年，8月28日 1200?C 1400?C 1500?C SiO2-SiC界面气相反应(CO)与温度的关系 热化学相图 界面的化学反应 第六十七页，共一百一十页，2022年，8月28日 如果氧化层中含有杂质，如H2O，O2在SiO2中的扩散速度将大大增加，界面上的氧气浓度将大于e-13.8，此时SiC-SiO2将不能稳定共存。燃气中一般含有大量水及杂质。因此，SiC在燃气中的使用温度比在空气中低。 SiC SiO2 O2 SiC SiO2 H2O，O2 CO 热化学相图 界面的化学反应 第六十八页，共一百一十页，2022年，8月28日 从热力学上讲C-SiO2界面在1273K时界面气相CO压力可能很高，但只有O2扩散使界面O2浓度达到较高水平时才能反应生成CO，但温度低，扩散较慢。因此C－SiO2在1000 ?C左右仍然共存，这就是动力学因素造成的。 C SiO2 O2 C SiO2 O2 SiC 低温成型 热化学相图 界面的化学反应 第六十九页，共一百一十页，2022年，8月28日 Relations of the maximum and minimum oxygen pressure with temperature at the SiO2-SiC interface 1412?C lgPo2 (MPa) -40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 1200 1400 1600 1800 2000 Temperature (K) lgPo2|min lgPo2|max 热化学相图 界面的化学反应 第七十页，共一百一十页，2022年，8月28日 Relations of the maximum and the minimum CO pressure with temperature at the SiO2-SiC interface 1412?C 热化学相图 界面的化学反应 第七十一页，共一百一十页，2022年，8月28日 为什么Nical