1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体装置和制造半导体装置的方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.22万字
  • 约 42页
  • 2023-05-15 发布于四川
  • 举报

半导体装置和制造半导体装置的方法.pdf

    本公开涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的导电层和绝缘层；以及沟道结构，沟道结构穿过栅极结构。每个导电层可以包括具有第一厚度的第一部分和具有比第一厚度更厚的第二厚度的第二部分，并且第二部分可以包括第一金属层、第一金属层中的第二金属层以及插置在第一金属层和第二金属层之间的第一屏障层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725200 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110912530.3 H01L 27/11521 (2017.01)

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >