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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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半导体结构的制造方法及半导体结构.pdf

    本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，所述基底内具有电接触层；在所述基底上形成绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿所述绝缘层的通孔，且所述通孔露出所述电接触层的表面；在所述通孔的侧壁形成侧墙层；形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧墙层的表面以及所述绝缘层暴露的表面；去除所述侧墙层，形成位于所述第一隔离层与所述绝缘层之间的间隙；形成填充所述通孔的导电层，所述导电层与所述电接触层电连接。本发明实施例提供的半导体结构的制造方法能够有效降低半导体结构的寄生电容。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725005 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110003495.3 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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