晶体管的开关特性与击穿电压.pptxVIP

晶体管的开关特性与击穿电压;一 开关波形和开关时间的定义;;2．实际晶体管的开关波形与开关时间;1、当输入负脉冲的持续时间及其周期比开关时间大得多时，晶体管能很好地起开关作用;;;;;;二 晶体管的反向击穿电压;对于共基极电路，其雪崩倍增因子为：;;2 集电极－发射极反向击穿电压（基极开路）：BVCEO;;共发射极和共基极的击穿电压;晶体管在电路应用中，基极并不是开路的，而是有各种不同的偏置情况(如图所示)，实际的集电极－发射极间的击穿电压与基极开路时BUCEO是不同的。;3 BVCEO与BVCES、BVCER 、 BVCEX 、 BVCEZ的关系;2、BUCER－基极接电阻R;3、BUCEX－基极接反偏电压;4、BUCEZ－基极接正偏电压;4 发射极－基极反向击穿电压（集电极开路）;三 晶体管的穿通电压;NPN晶体管的穿通;2 外延层穿通;四 P-N-P-N结构;在内部区加第三个电极（称为栅极或控制极），构成三端器件，其开关过程由通过第三电极的电流控制。三端的P-N-P-N器件称为半导体可控整流器（SCR）或晶闸管。;P-N-P-N 二极管;可以把它看成两个背对背连接的晶体管，一个是PNP管BJT1另一个是NPN管BJT2 ，中间的P区和N区为两个晶体管共有。 BJT1的基区和BJT2的集电区相连。;;在正向关断时，J1和J3结正偏， J2结反偏，外加偏压主要降落在J2结上。中心结对来自J1的空穴和来自J3的电子皆起集电结的作用，使得J2结正偏，器件上的电压突然下降，器件进入正向导通状态。;对于三端的半导体可控整流器，通过在控制极加一触发信号，等效NPN管首先导通，信号电流被放大，随即驱动等效的PNP管导通。;感谢观看！