半导体器件中的衬底结构与半导体器件.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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半导体器件中的衬底结构与半导体器件.pdf

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本申请提供了一种半导体器件中的衬底结构与半导体器件。该半导体器件中的衬底结构包括衬底、顶层硅和多个浅沟槽隔离结构，其中，衬底包括在预定方向上间隔设置多个腔体，顶层硅位于所述衬底的表面上，所述顶层硅包括多个顶层硅部，多个顶层硅部的厚度不同，一个顶层硅部和对应的至少腔体形成一个基底区，位于任何相邻的两个基底区之间的多个浅沟槽隔离结构。该衬底结构中，顶层硅部的厚度不同，可以满足不同半导体器件的电压需求，从而解决了现有技术中由于同一晶圆上的顶层硅厚度相同，为了满足具有较大的电压需求的半导体器件，使得具有

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116110929 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111329432.3 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人苏州华太电子技术股份有限公司地址