L双极型晶体管.pptxVIP

L双极型晶体管第1页/共149页 2/1492.1 基本结构、制造工艺和杂质分布1 2.1.1 晶体管的基本结构n+pnEBC发射区基区集电区p+npEBC发射区基区集电区ECBnpnECBpnp第2页/共149页 3/1492.1 基本结构、制造工艺和杂质分布2 2.1.2 制造工艺合金管平面管第3页/共149页 4/1492.1 基本结构、制造工艺和杂质分布3 2.1.3 杂质分布均匀基区缓变基区基区内载流子传输方式自建电场扩散扩散漂移+扩散型晶体管漂移型晶体管第4页/共149页 5/149第二章 双极型晶体管2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理2.3 直流特性2.4 反向特性2.5 晶体管的模型2.6 频率特性2.7 开关特性第5页/共149页 6/1492.2 电流放大原理12.2.1 放大条件放大条件：1、Wb Lnb2、发射结正偏3、集电结反偏n+pnEBCIeIcIbRERLVbeVcb第6页/共149页 7/1492.2.2 电流传输2.2 电流放大原理2Ine ? Inc第7页/共149页 8/1492.2.3 共基极电流放大系数2.2 电流放大原理3 1? ? 1集电区倍增因子基区传输系数发射效率（注入比）? 1（当 Ne / Nb 1 时）? 1（当 Wb Lnb 时）IeIbIcVbeVcb第8页/共149页 9/1492.2.4 共射极电流放大系数2.2 电流放大原理4 1IbIeIcVbeVce第9页/共149页 10/149第二章 双极型晶体管2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理2.3 直流特性2.4 反向特性2.5 晶体管的模型2.6 频率特性2.7 开关特性第10页/共149页 11/1492.3.1 晶体管中的少子分布2.3 直流特性1? 0? 0x2N+PNWb0x-x1x2第11页/共149页 12/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性2假设：? 突变结? 一维（Aje = Ajc = A）? 外加偏压全加在结上? 忽略势垒区的产生-复合电流? 小注入1. 少子分布(1) 基区? 00Wb? 基区均匀掺杂Wb Lnb第12页/共149页 13/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性31. 少子分布(2) 发射区We Lpe We Lpe 且0Wb-x1x20WbWe-x1x2第13页/共149页 14/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性41. 少子分布(3) 集电区(Wc Lpc )? 00Wb-x1x2第14页/共149页 15/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性52. 电流密度 (只计算扩散电流)(1) 基区中电子电流0Wb-x1x2第15页/共149页 16/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性62. 电流密度 (只计算扩散电流)(1) 基区中电子电流0WbJnb(0)Jnb(Wb)? JvbWb Lnb= 常数 = Jnb(0) = Jnb(Wb)? 0问题?：上述结论也可从载流子线性分布直接推出.问题?：考虑复合时，少子如何分布？a 还是 b ?0Wbab第16页/共149页 17/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性72. 电流密度 (只计算扩散电流)(2) 发射区中空穴电流(3) 集电区中空穴电流We Lpe Wc Lpc 第17页/共149页 18/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性83. Ie、Ib、Ic 表达式(1) Ie 表达式EBCIeIbIcxJe , Jc第18页/共149页 19/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性93. Ie、Ib、Ic 表达式Wb Lnb 时，且放大偏置(1) Ie 表达式第19页/共149页 20/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性103. Ie、Ib、Ic 表达式(2) Ic 表达式EBCIeIbIcxJe , Jc第20页/共149页 21/1492.3.2 理想晶体管的电流-电压方程2.3 直流特性113. Ie、Ib、Ic 表达式(2) Ic 表达式Wb Lnb 时，且放大偏置第21页/共149页 22/1492.3.3 ?、? 表达式2.3 直流特性121. ? 表达式? = ? ? ?* ? ?*(1) ?We Lpe第22页/共149页 23/1492.3.3 ?、? 表达式2.3 直流特性131. ? 表达式? = ? ? ? * ? ?*(1) ?