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影像感测装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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影像感测装置及其形成方法.pdf

    本揭露内容说明一种影像感测装置及其形成方法。此影像感测装置可包含半导体层。此半导体层可包含第一表面及第二表面。影像感测装置可进一步包含形成在半导体层的第一表面上的内连线结构、形成于半导体层的第二表面上的第一辐射感测区及第二辐射感测区、形成于第二辐射感测区上的金属堆，以及形成于第一辐射感测区的上表面上的钝化层，其中钝化层贯穿金属堆。金属堆可在钝化层及第二辐射感测区的其他上表面间。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765191 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110653579.1 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据 17/207,378 2021

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