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- 2023-05-16 发布于四川
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本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种电容器及DRAM的制造方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底的表面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的牺牲模制层和支撑层，所述支撑层包括至少一层牺牲支撑层以及多层保留支撑层，其中，所述堆叠结构的顶部设置为第一保留支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极，所述下电极连接所述电接触部。本实施例牺牲支撑层为可以被去除的氮化硅类物质，在下电极完成沉积后，牺牲支撑层被去除。同时其可以在沉积下电极过程中，充当支撑作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114765136 A
(43)申请公布日 2022.07.19
(21)申请号 202110057898.6
(22)申请日 2021.01.15
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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