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- 2023-05-17 发布于四川
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一种平面结构的TVS芯片及其制造方法,制造方法包括:在衬底的表面形成第一介质层;对第一介质层进行图案化处理,形成第一窗口;衬底具有第一导电类型;通过第一窗口,对衬底的表面进行磨面处理,在衬底表面对应第一窗口的区域形成磨面区域;通过第一窗口,对衬底进行掺杂,形成第一掺杂区域,第一掺杂区域具有第二导电类型,第一掺杂区域与衬底之间形成第一PN结;采用化学镀在磨面区域上形成金属层,金属层包括镍层。由于对衬底表面进行磨面处理,以使得磨面区域可以通过化学镀的方式形成包括镍层的金属层。基于化学镀需要的设备以及
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823314 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210348113.5 C23C 18/32 (2006.01)
(22)申请日 2022.03.
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