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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种深槽超结DMOS器件及其制作方法。器件包括：第一导电类型基底层，第一导电类型基底层包括相对的正面和背面，正面形成源极，背面形成漏极；第二导电类型阱区，第二导电类型阱区位于源极的下层；第二导电类型埋层柱，第二导电类型埋层柱形成于第一导电类型基底层中，且从第二导电类型阱区的下表面向下延伸；多晶硅沟槽结构，多晶硅沟槽结构形成于第二导电类型埋层柱的左、右两侧，且多晶硅沟槽结构从正面向下延伸依次穿过源极、第二导电类型阱区，多晶硅沟槽结构的底端伸出第二导电类
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116013984 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211263160.6 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日 2022.10
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