原创力文档- 29
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- 2023-05-17 发布于四川
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公开了倾斜超级结器件的侧壁离子注入优化工艺方法，主要通过在倾斜沟槽上生长的电介质层厚度从沟槽顶部到底部自然而然地变薄，实现了沟槽侧壁渐变的掺杂分布，优化了器件的电场分布，进而提升了器件的击穿电压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823309 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210223817.X
(22)申请日 2022.03.07
(71)申请人 浙江大学
地址 310012 浙江
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