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- 2023-05-17 发布于四川
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方法包括蚀刻介电层以形成开口。使介电层下面的第一导电部件暴露于开口。沉积牺牲间隔件层以延伸至开口中。对牺牲间隔件层进行图案化。去除牺牲间隔件层的位于开口的底部处的底部部分以露出第一导电部件，并且留下牺牲间隔件层的位于开口内和介电层的侧壁上的垂直部分以形成环。在开口中形成第二导电部件。第二导电部件被环环绕，并位于第一导电部件上方并电耦接至第一导电部件。去除环的至少一部分以形成空气间隔件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823498 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210183546.X
(22)申请日 2022.02.28
(30)优先权数据
63/166,318 2021
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