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- 2023-05-17 发布于四川
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本文公开了半导体结构及其制造方法。在一实施例中，示例性的半导体结构包括多个第一通道构件在基板上方；第一栅极结构包绕每个所述第一通道构件；以及介电鳍片结构相邻设置于第一栅极结构，介电鳍片结构包括：第一介电层设置在基板上方并与第一栅极结构直接接触；第二介电层设置在第一介电层上方；第三介电层设置在第二介电层上方，并且通过第二介电层与第一介电层以及第一栅极结构间隔开；及第一隔离部件设置在第三介电层正上方。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823523 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210198659.7
(22)申请日 2022.03.02
(30)优先权数据
63/156,494 2021
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