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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括两个或更多个第一阶导体及一个或多个第二阶导体。提供了一种自对准导孔，抑制层选择性地沉积在下导电区上。选择性地沉积电介质在下导电区上。可选择性地蚀刻沉积的电介质。选择性地沉积抑制剂在下电介质区上。选择性地沉积电介质在下电介质区上。位于下导电区上方的沉积的电介质与位于下电介质区上方的沉积的电介质具有不同的蚀刻速率，这可导致与下导电区对准的导孔结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823499 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210202479.1 (22)申请日 2022.03.03 (30)优先权数据 17/193,595 2021

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