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- 2023-05-18 发布于四川
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示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110235228 A
(43)申请公布日
2019.09.13
(21)申请号 20178
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