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GaN半桥功率器及其制备方法.pdfVIP

GaN半桥功率器及其制备方法.pdf

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    本发明提供了一种GaN半桥功率器，包括：基板，表面设有多个安装区，每个安装区设有多个电触点、以及电触点之间的连线；驱动芯片、第一GaN功率器件和第二GaN功率器件，分别安装在安装区，并通过多个焊球分别与电触点电连接，驱动芯片包括分别与第一GaN功率器件和第二GaN功率器件电连接高边通道和低边通道；填充胶，填充在驱动芯片、第一GaN功率器件、第二GaN功率器件与基板的空隙中、并且向上延伸到驱动芯片、第一GaN功率器件、第二GaN功率器件的下部周边的外围；以及石墨膜，覆盖在基板上并包围延伸到驱动芯片

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864520 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210484392.8 H01L 25/16 (2006.01) (22)申请日 2022.05.

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