X射线的产生及X射线的性质.pptxVIP

X射线的产生及X射线的性质;;;;;;;;Mo靶的X射线谱;; 连续光谱又称为“白色”X射线。连续光谱的短波限λs只决定于X射线管的工作高压，即只取决于高速电子流的运动速度，而与靶无关。 λs = h c / ?max ＝ h c / eV 代入各个参数后得到： λs = 12.395／V； V的单位为kV, λs的单位为 ? (angstrum);;例如：Na11的原子结构中电子的壳层分布; 当外来电子的能量足够高(大于K层电子的电子束缚能)，则可能吧 K层 的一个电子击飞，从而使原子处于不稳定状态(激发态)。;激发态不是稳定态，必然自发地向稳定态过渡。 方法之一：较高能量的 L层 电子向K层跃迁。;;;;;;;;;;;;典型的X射线谱 （含连续谱和特征谱）;几种常用阳极靶材料的特征谱参数 ;;第30页/共60页;元素;(1) 阳极材料已知时 电子束轰击可以得到已知波长的特征X射线—----用于X射线衍射分析的光源。 如，Cu阳极 (Cu靶)，得到 Cu： λKα1 ＝1.5405? λKα2 ＝1.5443? λKβ ＝1.3921?;(2) 阳极材料未知时 阳极换成未知样品，则样品中含有那种元素，即可得到那种元素的特征X射线波长，若含多种元素，则得到各该种元素的特征X射线波长。 如果能测定出样品产生的X射线波长(或能量)，则可以鉴定出样品中的元素种类(及含量)----电子探针分析、能谱分析(EPMA,EDX)。;四. X射线与物质的相互作用;（2）非相干散射 (a) 光电子 当入射X光子的能量足够大时，入射电子可以将原子的内层电子击出使其成为光电子。;第36页/共60页; 若入射X射线的波长是单色(能量已知)，则被击打出的光电子的能量?为： ? ＝ ?入射线的能量－ ?电子在原子核外所具有的能量 由于不同元素的核外电子具有不同的能量，因此，如能测定该光电子的能量，则可确定被照射物质的化学成分----XPS原理(X ray Photo Electronic Spectroscopy)。 对光源的要求：固定的已知能量，常采用单色X射线。(X射线不容易聚焦，因此样品分析时空间分辨率低);第38页/共60页;MgKα激发Ag得到的光电子谱;XPS进行成分测定的特点： . 样品最表面元素种类(及含量)的测定(信息深度10层原子)。较深部位元素产生的光电子很难逸出样品表面。 . 元素的不同状态，其光电子的能量会有差异(化学位移)，因此可测定元素的不同状态---价态、配位形式等。 例如Si的2p电子结合能： 单质硅中：99.6eV SiO2中： 103.4eV;有机化合物化学位移举例;(b) X荧光 光电效应发生后，原子的内层电子缺失，成激发状态， 激发态 ? 稳定态 和前面讲述的X射线产生的原理一样，将产生X射线，称之为二次X射线－－荧光辐射。 该X射线的波长，完全取决与物质中的原子类型，而入射线可为单色，也可为白色。 若测定该二次射线的波长，即可得到物质的化学组成----XRF原理(X-Ray Fluorescence Spectrometer )。;;;俄歇电子的能量： EKLL=EK-EL-EL ; 各种元素的俄歇电子能量;平均俄歇电子产额随原子序数的变化;X荧光产额ω与俄歇电子产额α之间满足 α+ω=1 一般地，较轻的元素，产生俄歇电子的几率较大，而较重的元素则产生X荧光的几率较大。;14号以前的元素，采用KLL俄歇电子 14-42：LMM俄歇电子 42号以后的元素：MNN或MNO俄歇电子 一般来说，俄歇电子谱仪对轻元素的分析更为有效。 也是一种针对样品最表面的元素进行分析。;1例Cr-Mo-V合金的俄歇电子图谱 (括号内为电子能量eV);(3) 物质对X射线的吸收 光电效应，俄歇效应以及热效应所消耗的那部分入射X射线能量称为物质对X射线的真吸收。 因此当X射线穿过物质时，X射线的能量将被衰减。 ; 物质对于X射线的总体吸收用吸收系数来描述： μ/ρ= K λ3 Z3 式中K为常数， λ为X射线的波长，Z为物质的原子序数， μ为吸收系数，ρ为物质的密度。 μ/ρ为称质量吸收系数，记为μm 。