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本发明公开了一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法、及利用该方法制成的MEMS封装结构，包括：制备盖板圆片；在盖板圆片刻蚀键合用空腔及止挡结构，其中，止挡结构构造为空腔凹槽内侧的凸起部，且止挡结构的设置位置与在完成键合后MEMS器件可动结构在Z轴方向上的活动位置相对应；在盖板圆片的表面制备介质层；去除止挡结构表面的介质层；在盖板圆片中制备用来实现键合的键合区，以及在空腔内制备吸气剂；将经过一系列处理的盖板圆片与结构圆片进行键合实现圆片级真空封装；对封装好的MEMS器件进行引线孔刻蚀。本发明在实现圆
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114906796 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202110175301.8 (51)Int.Cl.
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