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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明涉及一种高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法,所述制备方法包括:称取SiC、AlN、烧结助剂、粘结剂并球磨混合,成型、脱粘制得碳化硅陶瓷坯体;以及将所得碳化硅陶瓷坯体在氮气气氛中于1900~2200℃烧结制得高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112159233 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010953557.2 C04B 35/638 (2006.01)
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