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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明的实施例涉及一种半导体器件,包括:非易失性存储器单元区;逻辑区;伪区,位于所述非易失性存储器单元区和所述逻辑区之间;以及接地区域,位于所述伪区和所述逻辑区之间,其中,所述伪区不包含位于所述非易失性存储器单元区和所述逻辑区之间的坝结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164694 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011035774.X (51)Int.Cl.
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