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一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法.pdf

    本发明提供一种铁磁性砷化镉单晶薄膜的制备方法，包括：S1，在第一温度下，在脱氧后的半绝缘GaAs(111)B衬底上分子束外延生长GaAs缓冲层；S2，降低第一温度至第二温度，在GaAs缓冲层上分子束外延一层磁性元素掺杂的砷化镉单晶薄膜；S3，在单晶薄膜表面分子束外延一层GaAs薄膜，用于防止单晶薄膜氧化。本发明确立了一种在III‑V族半导体GaAs上生长砷化镉单晶薄膜的方法，并获得具有铁磁性的砷化镉单晶薄膜，为高迁移率磁性半导体的进一步研究提供了材料基础。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112160027 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011056216.1 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人 中国

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