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刻蚀方法、半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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刻蚀方法、半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明提供了一种刻蚀方法、半导体器件及其制造方法，所述刻蚀方法包括：步骤S1，提供一具有开口的衬底；步骤S2，沉积掩膜材料于所述开口的侧壁和底壁上；步骤S3，去除所述开口底壁上的所述掩膜材料，以暴露出所述开口底部的所述衬底的表面；步骤S4，以所述开口侧壁上的掩膜材料为掩膜，沿所述开口向下刻蚀所述开口底部的所述衬底，以增大所述开口的深度；步骤S5，循环执行步骤S2至S4，直至所述开口的深度达到预设要求。本发明的技术方案使得具有很小的开口宽度的结构中能够刻蚀形成很深的开口，且使得所述开口侧壁的形貌保

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111312587 A (43)申请公布日 2020.06.19 (21)申请号 20181

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