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本发明涉及一种8管双分裂控制存储单元、存储阵列及存内计算装置，包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3、NMOS管T4、NMOS管T5、NMOS管T6、NMOS管T7、NMOS管T8、位线BL、位线BLB、读字线RWL、读位线RBL、字线WL1、字线WL2、公共接地线VSS1和公共接地线VSS2，采用两个T7管、T8管的NMOS串联实现权重和输入乘积的计算方式，将模拟计算结果在读位线上进行模拟累计，最后将模拟电压通过ADC数字化输出，简化了计算方式，节省了计算面积。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185447 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011054193.0
(22)申请日 2020.09.29
(71)申请人 中科院微电子研究所南京智能技术
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