氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdfVIP

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法.pdf

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本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体器件的制备方法，该氮化硅膜蚀刻溶液中包含具有杂芳基类取代基的化合物，因此不易分解且在磷酸水溶液中显出高分布度，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的选择比。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112210379 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 20201

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