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本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法。所述分栅快闪存储器包括：衬底，所述衬底上形成有浮栅层。控制栅结构，所述控制栅结构包括第一L型部分和第二L型部分，第一L型部分和第二L型部分相对且间隔覆盖于浮栅上；且在控制栅结构的顶表面上覆盖有金属硅化层。设置在控制栅结构和浮栅层两侧的字线栅。以及，擦除栅，所述擦除栅贯穿控制栅结构和浮栅层。其中，第一L型部分和第二L型部分设置于擦除栅两侧。因此，本发明通过设置控制栅结构，不仅提高编程效率，还在擦除时，通过对控制栅结构施加一定的负电压，以降低擦除栅的电压，便
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234096 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011164347.1
(22)申请日 2020.10.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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