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本发明公开一种基于大尺寸像素的电荷快速转移方法，包括步骤：在像素的光电转化区，使PDN顶端露出于PDP外，使在PDN与PDP交界处形成多个PN结；在光电转化区与FD节点之间设置第一传输栅TX1与第二传输栅TX2，第一传输栅TX1与第二传输栅TX2之间形成N区，该N区注入N型施主杂质以降低开启阈值；第一第一传输栅TX1负责调整由像素制造过程中引入的势垒或势阱；第二传输栅TX2施加适当高电压让其栅下反型层面积增大，保证电荷转移进行。本发明提出的多边形光电转化区结合双传输栅的新结构和相应操作方法，利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259565 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202010870282.6
(22)申请日 2020.08.26
(71)申请人 天津大学
地址 30
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