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本发明提供了一种铸造单晶硅籽晶的铺设方法，相邻硅籽晶的晶向成较小锐角斜向上指向或斜向上远离拼接缝，所述两类拼接缝有规律地间隔分布。两侧硅籽晶的晶向斜向上指向的拼接缝在晶体生长过程中可以显著抑制位错的产生及扩展，提高硅锭整体的晶体质量。本发明还提供了应用上述单晶硅籽晶的铺设方法制备而成的晶体硅锭，以及晶体硅锭的切割开方方法，在去除籽晶拼接缝产生的位错的同时，提高硅锭可切片部分占比，降低硅片成本，也便于制备大尺寸硅片。本发明解决了铸造法生产单晶硅时籽晶拼接缝处位错增殖迅速的问题，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112251803 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202011260883.1
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 黎金香
地址 213
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