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本发明实施例公开了一种基于低维材料的波导晶体管探测器及其制备方法，其中，波导晶体管探测器包括：SOI层，包括底层和波导，在底层上设置波导；低维半导体层，覆盖在SOI层和波导上方；源极，设置在低维半导体层的上方，位于波导的一侧；漏极，设置在低维半导体层的上方，位于波导的另一侧；栅极，设置在低维半导体层的上方，位于波导的上方；栅介质层，栅介质层覆盖在位于波导顶部的低维半导体层上方，栅极设置在栅介质层的上方。使用低维材料是直接带隙材料，能提高光电转换效率；探测器集成在波导上，不用牺牲折中光吸收效率和器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112331728 B
(45)授权公告日 2021.03.16
(21)申请号 202110013746.6 H01L 31/18 (2006.01)
(22)申请日
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