高电子迁移率晶体管.pdfVIP

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本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一基底；一缓冲层，设于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一第一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一氮化铝蚀刻停止层，位于所述第一氮化铝镓层上；以及一P型氮化镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112310210 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 20191

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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