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本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一基底；一缓冲层，设于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一第一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一氮化铝蚀刻停止层，位于所述第一氮化铝镓层上；以及一P型氮化镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112310210 A
(43)申请公布日
2021.02.02
(21)申请号 20191
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