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高功率器件的栅极结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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高功率器件的栅极结构及其制造方法.pdf

    本发明提供一种高功率器件的栅极结构及其制造方法，其中方法包括：提供一其上形成有栅氧化层和栅极的衬底；在栅极的表面上形成保护层；形成氧化硅层和氮化硅层；形成侧墙结构；去除栅极两侧的部分侧墙结构和部分保护层，以及去除栅极两侧的栅氧化层以露出栅极底部边角；对衬底以及所述栅极底部边角进行氧化以得到微笑形貌的栅极。本申请通过先去除栅极两侧的部分侧墙结构和部分保护层以露出栅极底部边角，然后对栅极底部边角进行局部氧化从而增厚栅极底部边角位置的氧化硅以得到微笑形貌的栅极，可以在避免器件电学性能发生改变的同时，避

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985768 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211511514.4 (22)申请日 2022.11.29 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址

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