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2023-05-27 发布于四川
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一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种基于ALD沉积IGZO膜的闪存单元及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。其制备方法为在P型高掺杂晶圆基底上沉积隔离层、浮栅层、隧穿层，利用ALD法在隧穿层上沉积IGZO薄膜层，然后蚀刻掉多余的IGZO部分并蚀刻出源漏区域，沉积Al作为源漏。本发明ALD法沉积IGZO膜制备的闪存单元的加工温度较低，性能较好，利用ALD沉积IGZO薄膜来取代传统的硅通道，提高闪存单元的性能，降低漏电流。本发明采用ALD法沉积IGZO纳米薄膜作为闪存单元的channel层，解决了硅沟道闪存单元不

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112309833 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202011191039.8 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人山东华芯半导体有限公司

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