IC集成技术中的工艺设计模块教材.ppt

§10.3 集成电路中的隔离;IC集成技术中的工艺模块;IC集成中的器件形成与互连;IC集成中的器件隔离; 衡量隔离工艺的指标有密度、工艺复杂度、成品率、平坦化程度和寄生效应。这些指标间存在着折衷，没有一种隔离工艺对所有电路都适合。;双极IC中的器件隔离;PN结隔离的双极晶体管 ;SBC结构 vs. CDI结构 vs. 3D结构 ;P-Si;双极集成电路典型工艺的集成/1 ;衬底材料选择的考虑;双极集成电路典型工艺的集成/2 ;集电极引线从表面引出，如没有埋层，从集电极到发射极的电流必须从高阻的外延层流过，这相当于在体内引入了一个大的串联电阻，导致饱和压降增大。;双极集成电路典型工艺的集成/3 ;PN结隔离的实现― P+隔离扩散;PN结隔离;PN结隔离 vs. 深槽隔离;双极集成电路典型工艺的集成/4 ;SBC结构集电极深接触的实现 ;双极集成电路典型工艺的集成/5 ;SBC双极IC基区的设计考虑 ;　　为提高放大倍数和减小基区渡越时间（影响晶体管特征频率的重要因素），要求基区宽度愈小愈好，但小到一定限度时，则要求提高基区的浓度防止基区穿通。;双极集成电路典型工艺的集成/6 ;双极集成电路典型工艺的集成/7 ;工艺流程;工艺流程（续1）;工艺流程（续2）;工艺流程（续3）;工艺流程（续4）;工艺流程（续5）;工艺流程（续6）;埋层区;MOS IC中的器件隔离;MOS 器件的自隔离 /1;MOS 器件的自隔离 /2;MOS IC中器件隔离的作用 /1;MOS IC中器件隔离的作用 /2;制备厚氧化层的最直接方法;硅的局部氧化(隔离)技术 LOCOS: LOCal Oxidation of Silicon;标准LOCOS工艺主要步骤;LOCOS的主要作用;LOCOS的掩膜;局部氧化技术(1);局部氧化技术(2);LOCOS存在的主要问题 /1;“鸟嘴” 形成的原因及影响;LOCOS存在的主要问题 /2;LOCOS主要问题的解决措施 /1;PBL－Crab Eyes;LOCOS主要问题的解决措施 /２;侧墙掩蔽隔离技术(SWAMI);新技术的出现; 是刻蚀掉部分衬底形成沟槽(槽刻蚀)，再在其中回填上介电质(回填)作为相邻器件之间的绝缘体的一种器件隔离方法。又分为：浅槽隔离和深槽隔离。;浅槽沟道隔离(STI)工艺;STI vs. LOCOS;Shallow Trench Isolation /1;§10.4 CMOS IC的工艺集成;CMOS 工艺中的基本模块;CMOS IC 中的阱;双阱工艺;Twin Well ;阱注入技术 ;阱注入技术 ―倒掺杂??术;场注入(沟道阻止注入)技术;场注入的作用;栅氧和阈值电压调整;Early STI;Advanced STI /1 ;Advanced STI /2;Transistor Making: Metal Gate /1;Transistor Making Metal Gate /2;硅栅工艺;自对准技术;硅栅自对准工艺;Self-aligned Gate;硅栅自对准工艺的优点;自对准技术及其作用;MOS工艺中的自对准结构 /1;自对准源漏工艺;自对准源漏工艺步骤;MOS工艺中的自对准结构 /2; 在IC工艺中，形成良好的欧姆接触以减少串联电阻也是CMOS集成中关键的一环。目前常用硅化物(silicide)形成良好的接触，即硅与难熔金属形成的化合物，具有金; 在自对准硅化物工艺(self-aligned sili-cidation)中，MOSFET的整个源、漏区和多晶硅栅上全部都形成低电阻率的金属硅化物薄膜。;Cobalt Self-aligned Silicide Process; 去除未反应的金属后，多晶硅栅、源漏区等露出硅层的区域完全被硅化物所覆盖，而其他没有露出硅层的区域则不存在硅化物，从而实现了自对准的硅化物生长。; Self-aligned Twin Well：;Self-aligned Twin Well ;轻掺杂漏注入技术LDD(Lightly Doped Drain/Source);LDD Formation /1;LDD Formation /2;*;LDD的作用;四川石化乙二醇装置;乙二醇装置第二周工作总结;乙二醇装置第二周工作计划;2011-07-10;乙二醇反应;浓缩及脱水;MEG精制;MEG回收;DEG吸收;TEG吸收;环氧乙烷化学性质及用途;健康危害;急救及防护措施;危险特性;泄露应急处理 ;消防措施;乙二醇装置第一周工作总结;乙二醇装置第二周工作计划;乙烯化学性质及用途;危险性概述;急救及防护措施;消防措施;四川石化乙二醇装置简介;装置能力;主要原料;催化剂;脱硫催化剂;致稳剂;调节剂;CO2脱除溶