- 1、本文档共21页,其中可免费阅读20页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供的埋入式栅极结构及半导体存储器的形成方法包括如下步骤:提供衬底,所述衬底上具有第一掩膜层;形成多个刻蚀结构于所述第一掩膜层表面,所述刻蚀结构包括分隔层和位于所述分隔层表面的第二掩膜层,所述第二掩膜层中具有暴露所述分隔层的第一沟槽,相邻所述刻蚀结构之间具有暴露所述第一掩膜层的第二沟槽;同时沿所述第一沟槽和所述第二沟槽刻蚀所述衬底,形成与所述第一沟槽对应的栅极槽、并同时形成与所述第二沟槽对应的第一隔离槽于所述衬底中,且所述第一隔离槽的深度大于所述栅极槽。本发明极大的简化了埋入式栅极结构的制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112420722 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 201910777788.X H01L 29/06 (2006.01)
(22)申请日 2019.08
您可能关注的文档
最近下载
- 2024年海南省中考化学试卷(含答案).docx
- 人教PEP版四年级上册英语Unit 3 My friendsPart B Let's talk—Let's play课件.pptx
- 《论语》中的“学”与“好学”.doc VIP
- 部编版小学语文三年级上册《快乐读书吧:在那奇妙的王国里》说课稿(附教学反思、板书)课件.pptx
- 第四节 IS—M模型与财政政策效应.ppt VIP
- (2023)宿舍安全知识竞赛真题库及答案(通用版).docx
- 高校教师资格证面试说课课件-醛酮.pptx VIP
- 雨季施工方案.doc VIP
- 台湾文学之台湾诗歌课件.ppt
- 计量经济学基础 第3版 课件 张兆丰 第1--7章 导论、 回归与回归分析---多元线性回归模型的推断.pptx
文档评论(0)